1.基于栅极内阻在线提取的SiC MOSFET主动结温控制技术研究，国家自然基金青年项目。

2.基于功率检测的SiC MOSFET动态短路保护关键技术研究，中国博士后科学基金面上项目。

3.SiC MOSFET模块动态短路保护关键技术研究，陕西省自然科学基础研究计划项目。

4.具有结温调控功能的SiC MOSFET智能驱动技术研究，秦创原两链融合重点项目。

5.SiC MOSFET智能功率单元关键技术研究，西安市科技计划项目。

6.SiC MOSFET模块短路保护关键技术研究，陕西省教育厅专项科学研究计划项目。

7.SiC MOSFET模块驱动保护电路研究，大型电气传动系统与装备技术国家重点实验室课题项目。

8.基于温敏电参数在线提取的SiCMOSFET主动结温控制技术，西安市科学技术协会项目。

1.A Novel Short-Circuit Protection Scheme for SiliconCarbide (SiC) MOSFET Module Considering Operation Temperature；IEEE Transactions on Power Electronics;  vol. 40, no. 8, pp.10661-10671, Aug. 2025；

2.Active Gate Driver With the Independent Suppression ofOvershoot and Oscillation for SiC MOSFET Modules；IEEE Transactions on Power Electronics;  vol. 72, no. 3, pp.2325-2335, March 2025；

3.Research on avalanche tolerance test method forpower devices based on avalanche energy equivalence；Measurement Science and Technology, Volume 36,Number 1；

4.A Fast Overcurrent Protection IC for SiC MOSFET Basedon Current Detection；IEEE Transactions on PowerElectronics; vol. 39, no. 5, pp. 4986-4990, May 2024；

5.A Fourier Series-Based Steady-State Thermal ResistanceModel for Power Module； IEEE Journal ofEmerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 12, no. 4, pp.3912-3924, Aug. 2024；

6.分立GaNHEMT器件动态电阻测量系统设计；电力电子技术，2025；

7.一种窄脉冲信号峰值电压检测电路设计；电力电子技术，2024；

8.Review on Short-Circuit Protection Technology of SiCMOSFET; Transactions of China Electrotechnical Society; 37(10), p 2538-2548；

9.Active Gate Driver for Improving Current SharingPerformance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules；IEEE Transactions on Power Electronics;  36 (2) , pp.1491-1505；

10.Model parameter calibration method of SiC powerMOSFETs behavioral model;IET power electronics; 13(3), p 426-435;