主持参与的项目主要有：

（1）半超结硅锗功率开关二极管的研究，国家自然科学基金面上项目，项目编号：51177133 

（2）SiGeC HBT新结构及其关键技术研究，国家自然科学基金青年项目，项目编号：61204094

（3）重复频率弱光触发下非线性光电导开关的时间抖动特性及其调控研究，国家自然科学基金面上项目，项目编号：51877177

（4）RC-IGBT体内载流子分布对换流过程的影响与导通特性研究，陕西省自然科学基础研究计划，项目编号：2021JQ-483

（5）超快速高耐压功率二极管新结构的研究，陕西省教育厅科研计划项目 

（6）高压IGBT芯片仿真模型研究，全球能源互联网研究院有限公司，企事业单位委托科技项目

（7）一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法，西安国创电子股份有限公司，企事业单位委托科技项目

近期主要论文：

(1) Li Ma*; Jie Xi; Guanghui Qu;Siyao Chang; and Jing Zhang ; Research on the optimal width and optimal life value of IGBT unilateral local lifetime control, Ieice Electronics Express,2024,21(17):1-6.

(2) Li Ma*; Jie Xi; Guanghui Qu;Jiaqiang Xie; and Zhaokun Hou; The structure improvement of SiC IGBT for anti-latch-up capability, Ieice Electronics Express,2024,21(19):1-6.

(3) Li Ma*; Jia Qiang Xie; Ru Liang Zhang; Guo Wei Zhao; Tian Yang Gao; and Ning Mei Yu; Research on characteristics of RC-IGBT with low switching energy consumption, Ieice Electronics Express,2022,19(18):1-5.

授权专利：

（1）马丽; 康源; 张如亮; 刘红艳; 张超; 李旖晨 ; 一种氧化槽交替隔离型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，2022-2-18, 中国, ZL201811005402.5

（2）马丽;陈琳楠;谢加强;李伟;一种功率二极管及其制备方法, 2018-9-25，中国,ZL201510353667.4.（已技术转让）

（3）马丽;谢加强;高勇;王秀慜;一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法, 2016-06-01,中国,ZL201410261023.8.（已技术转让）

获奖情况：

(1) 杨媛; 高勇; 马丽; 王庆军; 杨兆年; 吴磊; 曹琳; 文阳; 刘静; IGBT 智能数字驱动保护与功率单元研制及产业化, 陕西省政府, 陕西省科学技术奖, 二等奖, 2019

(2)) 高勇; 杨媛; 刘恩科; 刘静; 马丽; 安涛; 冯松; SiGe半导体异质结理论与新器件结构的研究, 陕西省政府，陕西省科学技术奖, 二等奖, 2010